Znanstvenici su uspjeli stvoriti tranzistor s ugrađenom FeRAM memorijom

Slučajno se dogodilo da su obrada i pohrana podataka zadaci za potpuno različite uređaje. A integracija računskih stanica u memorijske stanice prilika je ne samo za daljnje povećanje gustoće raspored elemenata na kristalu, ali i stvoriti uređaj koji u svojoj biti podsjeća na čovjeka mozak.

Takav razvoj događaja ima sve šanse dati golem poticaj razvoju umjetne inteligencije.

Prema američkim istraživačima iz znanstvenog centra Nanotehnološki centar Birdue Discovery Park Birck Sveučilište Purdue, kako bi se granična stanica (1T1C) maksimalno kompaktirala, potrebno je koristiti feroelektričnu (feroelektričnu) memorijsku ćeliju u kombinaciji s tranzistorom.

Također je za gustoću sasvim moguće izgraditi magnetoresistivni tunelski spoj izravno u kontaktnu skupinu neposredno ispod tranzistora.

Znanstvenici su u časopisu objavili rezultate svojih eksperimenata Nature Electronics, gdje su detaljno opisali sva svoja znanstvena istraživanja, uslijed kojih su uspjeli od feroelektrika stvoriti tranzistor s ugrađenim tunelskim spojem.

Tijekom svog rada uspjeli su riješiti jedan vrlo važan problem. Napokon, feroelektričari se smatraju dielektricima s izuzetno širokim zapornim pojasom, koji blokira prolazak elektrona. A u poluvodičima, na primjer, u siliciju, elektroni neometano prolaze.

Uz to, feroelektričari su obdareni još jednim svojstvom, koje ni na koji način ne omogućuje stvaranje memorijskih stanica na jednom silicijevom kristalu zajedno s tranzistorima.

Naime: silicij je nespojiv sa feroelektrikom, budući da ih je slikovito rečeno "urezan".

Kako bi neutralizirali ove negativne aspekte, znanstvenici su pokušali pronaći poluvodič sa feroelektričnim svojstvima i uspjeli su.

Ispostavilo se da je ovaj materijal selenid-alfa indij. Napokon, ima prilično mali propusni opseg i sposoban je prenijeti protok elektrona. A budući da je ovo poluvodički materijal, jednostavno nema zapreka njegovoj kombinaciji sa silicijem.

Brojne studije, laboratorijska ispitivanja i složene simulacije pokazale su to, s pravom optimizacijom, stvoreni tranzistor s ugrađenom memorijom može značajno nadmašiti postojeći efekt polja tranzistori.

Istodobno, debljina spoja tunela sada je samo 10 nm, ali prema predstavnicima znanstvene skupine, ovaj se parametar može svesti na debljinu samo jednog atoma.

Ovaj super gusti izgled približava čitavo čovječanstvo koraku bliže provedbi ambicioznog projekta poput Umjetne inteligencije.

Želio bih naglasiti da većina financiranja dolazi iz subvencija Pentagona, što navodi na neke misli.

Svidio mi se materijal, a zatim palac gore i lajk od vas! Također napišite u komentarima, možda američki znanstvenici razvijaju nekakav Skynet analog?